با شناخت ساختار درونی و ویژگی‌های غیرایده‌آل تقویت‌کننده عملیاتی، مدارهای مبتنی بر آن را تحلیل و طراحی کنید.
آشنایی با منابع و آینه‌های جریان
بررسی طبقات تفاضلی
ساختار درونی یک تقویت‌کنندۀ عملیاتی
خصوصیات غیر ایده‌آل یک تقویت‌کنندۀ عملیاتی
35 ساعت ویدئو
دسترسی مادام‌العمر به محتوای دوره
این دوره شامل تدریس درس الکترونیک 2 می باشد. هدف از درس الکترونیک 2، آموزش ساختار درونی و چگونگی استفاده از تقویت کننده‌های عملیاتی، که مهمترین قطعه در مدارهای الکترونیکی آنالوگ می باشد، است. در ابتدای این دوره، تقویت‌کننده ترانزیستوری یک طبقه که با استفاده از ترانزیستور BJT طراحی می‌شوند، مرور می‌گردد و معادلات بهره، مقاومت ورودی و مقاومت خروجی آن‌ها بررسی می‌شود.
سپس ساختار و عملکرد فیزیکی ترانزیستور اثر میدانی (MOSFET) که امروزه بیشترین کاربرد را در طراحی مدارهای الکترونیکی دارد، مورد بررسی قرار می‌گیرد. در ادامه، انواع منابع و آینه‌های جریان تدریس می‌گردد. سپس تقویت‌کننده‌های تفاضلی آموزش داده می شود و در ادامه، ساختار درونی یک تقویت‌کنندۀ عملیاتی مورد بررسی قرار می گیرد.
خصوصیات یک تقویت‌کنندۀ عملیاتی غیر ایده آل به تفصیل توضیح داده می‌شود و چگونگی استفاده از آن‌ها آموزش داده می شود. در نهایت، روش تحلیل مدارهایی که دارای فیدبک منفی هستند، تدریس می گردد.
بر اساس امتیاز 33 دانشجو
دکتر محمدمهدی احمدی عضو هیات علمی دانشگاه صنعتی امیرکبیر با درجۀ دانشیاری هستند. ایشان بیش از 15 سال سابقۀ کار صنعتی در زمینۀ طراحی مدارهای مجتمع پیشرفته در شرکت های برجسته ای از جمله Onsemi، Synopsys، Rambus و Analog Bits در کانادا و در Silicon Valley آمریکا دارند. ایشان از سال 1393 در دانشگاه صنعتی امیرکبیر در حال تدریس و تحقیق در زمینۀ ایمپلنت های هوشمند پزشکی و سایر کاربرد های مدارهای الکترونیکی در پزشکی هستند.
آموزش رایگان الکترونیک 2
